考题
膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()
A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+
考题
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
考题
(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是
考题
抑制性突触后电位产生的离子机制是A．Na+内流B．K+勾流C．Ca2+内流D．K+外流E．C1-内流
考题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．H+
考题
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+
考题
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
考题
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A．Na+内流B．K+外流C．Ca2+内流D．Cl-内流E．Na+内流和K+外流
考题
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
考题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+
考题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+
考题
A.K
B.Na
C.Ca
D.Cl
E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
考题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+
考题
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A. Na+内流
B. K+内流
C. Ca 2+内流
D. Cl -内流
E. K+外流
考题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+
考题
A.Na
B.Cl
C.Mg
D.Ca
E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
考题
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+
考题
膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （ ）
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
E.H+
考题
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流
考题
焊接电弧三个部分作用描述正确的是（）。A、阴极发射电子，阳极产生正离子B、阴极提供电子流和接受正离子流C、阳极接受电子流和提供正离子流D、弧柱起电子流和正离子流的导电通路作用
考题
单选题膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位？（ ）A
B
C
D
E
考题
单选题下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?（ ）A
Na+内流B
K+内流C
Ca2+内流D
Cl－内流E
K+外流
考题
单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）A
Na+内流B
K+内流C
Ca2+内流D
Cl-内流E
K+外流
考题
单选题产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（ ）A
B
C
D
E
考题
单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。A
Na+内流B
K+内流C
Ca2+内流D
Clˉ内流E
K+外流
考题
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）A
K+B
H+C
Ca2+D
Cl-E
Na+
考题
单选题抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）A
Cl—B
K+C
Na+D
Fe2+E
Ca2+