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可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+
参考答案
参考解析
解析：本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。
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考题
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）A
K+B
H+C
Ca2+D
Cl-E
Na+
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