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单选题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()
A

Na+、Cl- 、K+,尤其是K+

B

Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+

C

Na+ 、K+ ,尤其是Na+

D

K+、Cl- ,尤其是Cl-

E

K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+


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考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

考题 抑制性突触后电位的产生,是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+、Cl-,尤其是Cl-B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+C.Na+、K+,尤其是Na+D.Na+、Cl-、K+,尤其是K+

考题 抑制性突触后电位是A、去极化局部电位B、超极化局部电位C、具有全或无特征D、突触前膜递质释放减少所致E、突触后膜对Na+通透性增加所致

考题 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是A.Ca2+B.Na十 突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是A.Ca2+B.Na十C.CFD.K+E.H+

考题 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致A.Na、K、Cl,尤其是K B.Na、K、Cl,尤其是Na C.K、Cl,尤其是Cl D.K、Cl,尤其是K+ E.Ca、K、Cl,尤其是Ca

考题 关于抑制性突触后电位,以下正确的是 A.是局部去极化电位 B.是局部超极化电位 C.由突触前膜递质释放量减少所致 D.由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl,尤其是Ca B.Na、Cl、K,尤其是K C.K、Ca、Na,尤其是Ca D.K、Cl,尤其是Cl E.Na、K,尤其是Na

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性( )

考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

考题 膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位 (  ) A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部除极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、由突触后膜对钠通透性增加所致

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()A、Na+、Cl- 、K+,尤其是K+B、Ca2+、K+ 、Cl- ,尤其是Ca2+C、Na+ 、K+ ,尤其是Na+D、K+、Cl- ,尤其是Cl-E、K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

考题 抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、是超极化局部电位C、具有全或无特征D、是突触前膜递质释放减少所致E、是突触后膜对Na通透性增加所致

考题 兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+(钾离子)的通透性增加所致

考题 IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加:()A、钠离子;B、钙离子;C、钾离子和氯离子,尤其是氯离子;D、钠离子、钾离子、氯离子,尤其是钾离子

考题 单选题膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位?(  )A B C D E

考题 单选题抑制性突触后电位()A 是去极化局部电位B 是超极化局部电位C 具有全或无特征D 是突触前膜递质释放减少所致E 是突触后膜对Na通透性增加所致

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考题 单选题突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位,该离子是(  )。A B C D E

考题 单选题IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加:()A 钠离子;B 钙离子;C 钾离子和氯离子,尤其是氯离子;D 钠离子、钾离子、氯离子,尤其是钾离子

考题 单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致?(  )A Na+、K+,尤其是Na+B Ca2+、K+、Cl一,尤其是Ca2+C Na+、Cl—、K+,尤其是K+D K+、Cl—,尤其是Cl—E K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

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