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2、离子注入掺杂产生的基体损伤可以通过()恢复。

A.高温退火处理

B.中温退火处理

C.低温退火处理

D.正火处理


参考答案和解析
错误
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考题 因运动量过度产生的酸疼,可以通过减量、休息、按摩、热敷等方法来帮助机体积极恢复。

考题 关于恢复设备出厂设置,以下说法不正确的是()A、可以通过SANGFORFirmwareUpdater加载升级包恢复出厂设置B、可以通过U盘恢复出厂设置C、可以通过设备控制台恢复出厂设置D、可以通过交叉线恢复出厂设置

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考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。

考题 离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A、能量B、剂量

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考题 在噪声环境下出现的急性听力损伤,如爆炸等能否恢复。()A、可以恢复B、不可以恢复C、短时间不可以恢复

考题 球墨铸铁可以通过热处理改变其基体组织,从而改善其性能。

考题 通过热处理可以改变灰铸铁的基体组织,故可显著地提高其机械性能。

考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()

考题 判断题黑墨铸铁可以通过热处理改变其基体组织,从而改变其性能。A 对B 错

考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用。A 对B 错

考题 判断题球墨铸铁可以通过热处理改变基体组织,从而改善其性能。A 对B 错

考题 多选题为了改善增强材料与基体浸润性,制备MMC时,可以通过()A基体合金化,以降低液态基体的表面张力。B基体合金化,以增加液态基体与增强材料的界面能。C涂层,增加增强材料的表面能。D涂层,降低增强材料的表面能。

考题 问答题什么是离子注入损伤?

考题 填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有()等三种。

考题 单选题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。A 刻蚀B 离子注入C 光刻D 金属化

考题 单选题现代集成电路制造工艺中,主流掺杂技术为()A 扩散B 化学机械抛光C 刻蚀D 离子注入

考题 判断题铸铁可以通过热处理改变基体组织和石墨形态。A 对B 错

考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A 对B 错

考题 名词解释题离子注入的晶格损伤

考题 判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。A 对B 错

考题 填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于:()、()和可能的()。 例如:当作28Si+注入时,可能有真空系统中剩余气体产生的()也会同时注入。