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离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

  • A、能量
  • B、剂量

参考答案

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考题 离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?

考题 例举离子注入设备的5个主要子系统。

考题 在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。A、长度B、深度C、宽度D、表面平整度

考题 对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量

考题 离子注入

考题 什么叫离子注入,它的特点是什么?

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考题 判断题离子注入中高能量意味着注入硅片更深处,低能量则用于超浅结注入。A 对B 错

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考题 判断题离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导,高于临界能量时电子阻止本领占主导。A 对B 错

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考题 问答题简述离子注入退火目的与方法。

考题 单选题离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小()A  离子注入B  热扩散

考题 问答题离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?

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考题 判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。A 对B 错

考题 问答题简述部分离子注入工艺的作用。

考题 判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A 对B 错

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