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对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。

A.MOS;结型

B.增强型;结型

C.增加型;耗尽型

D.耗尽型;结型


参考答案和解析
增加型;耗尽型
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考题 增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对,错)。

考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A、正极性B、负极性C、零D、不能确定

考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

考题 电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

考题 场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。

考题 场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。

考题 结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流

考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

考题 当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。

考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。

考题 场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

考题 根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

考题 场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。

考题 结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。

考题 场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

考题 场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。

考题 MOS场效应管按导电沟道划分为N和()两大类。

考题 结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

考题 EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。

考题 更具结构不同,场效应管分为()A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管

考题 根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。

考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流

考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压

考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A 正极性B 负极性C 零D 不能确定