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强反型时,理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷,说明该MOS结构的衬底是P型
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考题
CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
考题
CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换,双极型器件是否也具有同样的特点?若没有,请说明原因。
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