考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
考题
场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。
A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
考题
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
（）不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
考题
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
考题
结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
考题
耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
考题
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
考题
FET是通过改变（）来改变漏极电流（）的，所以它是一个（）器件。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
考题
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
考题
功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
考题
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压