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高层错能材料往往以亚晶合并形核机制形成再结晶晶核

参考答案和解析
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考题 晶核的形成有（）方式。A、自发形核（异质形核）B、非自发形核（异质形核）C、自发形核（均质形核）D、非自发形核（均质形核）
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考题 熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.A、要小B、要大C、相等
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考题 连铸钢液非均质形核主要是依靠（）形成的。A、加入晶核B、耐火材料C、结晶器铜壁D、高熔点夹杂物
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考题 渗碳体的形成过程是由（）过程完成的。A、再结晶B、形成晶核和晶核长大C、奥氏体的长大D、以上均不是
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考题 只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核
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考题 结晶过程是（）的过程。A、形核及晶核长大B、形核及晶核转变C、晶核及质点长大D、晶核及质点转变
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考题 根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、均质形核
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考题 冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。
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考题 简述再结晶的形核机制。 
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考题 由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面
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考题 金属的再结晶转变，也要经历形核与晶核长大的过程。
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考题 釉熔体的析晶过程要先有晶核，晶体再围核长大。
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考题 在金属结晶过程中，晶核的形成有两种形式：（）。且非自发形核比自发形核更重要，往往起（）作用。
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考题 其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A、可能出现的最大晶坯尺寸变大B、临界晶核半径变大C、形核功减小D、形核率增加
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考题 多选题晶核的形成方式有两种，即（）A喂养形成B自发形核C非自发形核
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考题 判断题釉熔体的析晶过程要先有晶核，晶体再围核长大。A 对B 错
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考题 判断题金属的再结晶转变，也要经历形核与晶核长大的过程。A 对B 错
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考题 判断题冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。A 对B 错
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考题 单选题金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度
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考题 单选题形成临界晶核时需要的形核功由什么提供？（）A 由外界加热提供；B 由能量起伏提供；C 由体积自由能提供。
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考题 问答题指出下列错误之处，并改正之。 1、所谓临界晶核，就是体积自由能的减少完全补偿表面自由能增加时的晶胚大小。 2、在液态金属中，凡是涌现出小于临界晶核半径的晶胚都不能形核，但是只要有足够的能量起伏提供形核功，还是可以形核。 3、无论温度分布如何，常用纯金属都是树枝状方式生长。
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考题 问答题证明在相同的过冷度下均质形核时，球形晶核与立方形晶核哪种更易形成。
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考题 单选题实际金属结晶形成晶核时，主要是哪种形核方式（）。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核
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考题 单选题其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）A 可能出现的最大晶坯尺寸变大B 临界晶核半径变大C 形核功减小D 形核率增加
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考题 单选题根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）A 螺旋位错生长B 旋转孪晶生长C 反射孪晶生长D 均质形核
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考题 问答题简述再结晶的形核机制。
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考题 单选题由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A 大角度晶界和孪晶界B 相界面C 外表面
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考题 单选题纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在（）位置首先发生再结晶形核。A 小角度晶界B 孪晶界C 外表面
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