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10、当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。

参考答案和解析
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考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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考题 平均排除法适用于（）A.丘陵地区的排水沟道B.山区的排水沟道C.平原地区的得排水沟道D.高原区的排水沟道
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考题 平均排除法适用于（）A、丘陵地区的排水沟道B、山区的排水沟道C、平原地区的得排水沟道D、高原区的排水沟道
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考题 一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区
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考题 单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与GSS有关，VGS越大，则等效电阻（）
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考题 结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
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考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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考题 场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被（）的工作区。
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考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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考题 EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
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考题 填空题单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
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考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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考题 多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 问答题MESFET的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何控制的？
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考题 单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A 积累B 耗尽C 导通D 夹断
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考题 单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A 增大B 减小C 不变D 先减小后增大
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考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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