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一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。


参考答案和解析
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考题 硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

考题 锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

考题 硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对,错)。

考题 一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对,错)。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2,0.7B. 0.5,0.2C. 0.7, 1.0

考题 一般硅二极管死区电压为小于()V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1

考题 硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

考题 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 硅二极管的死区电压约为()。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

考题 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

考题 锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

考题 二极管正向导通的条件是()。A、正极电压高于负极电压,且其差值大于“死区电压”B、正极电压小于负极电压C、正极电压高于负极电压,且其差值小于“死区电压”D、正极电压等于负极电压

考题 半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。A、0.1~0.3VB、0.3~0.5VC、0.5~0.7VD、0.7~0.8V

考题 二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

考题 什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

考题 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。

考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 硅材料二极管的死区电压为0.3V。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?

考题 填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。

考题 问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。