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二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化

参考答案和解析
对
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考题 二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。 A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性
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考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
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考题 在采用万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡，这是因为______。A.R×100／防止过压反向击穿二极管B.R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏C.R×1／防止过压反向击穿二极管D.R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
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考题 硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
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考题 晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
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考题 极管如果采用正向接法，稳压二极管将（）A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变，但稳定电压极性发生变化
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考题 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
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考题 二极管导通时，正向压降为0.7V。
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考题 二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
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考题 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
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考题 在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
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考题 在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
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考题 二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
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考题 硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
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考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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考题 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
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考题 汽车硅整流发电机用的整流二极管，当单个二极管导通时，其正向压降为（）伏。A、0.3B、0.7C、0.9D、1.15
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考题 红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
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考题 单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A 正向电压B 正向电流C 正向电极D 正向电路
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考题 填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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