考题
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
考题
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()
A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
考题
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
考题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于()状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于()状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为()状态。
考题
PN结反偏时，正向电流（），相当于PN结（）。A.很小；导通
B.较大；导通
C.很小；截止
D.较大；截止
考题
三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏，集电结反偏。
考题
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
考题
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
当晶体管处于开关饱和状态下，BE结处于（）、BC结处于（）A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、反偏；正偏D、反偏；反偏
考题
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
考题
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
考题
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
考题
三极管放大区的条件为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏或零偏，集电结反偏C、射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
考题
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A
发射结和集电结同时反偏B
发射结正偏，集电结反偏C
发射结和集电结同时正偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A
发射结反偏，集电结正偏B
发射结、集电结均反偏C
发射结、集电结均正偏D
发射结正偏，集电结反偏
考题
填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
考题
问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
考题
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
单选题处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A
射结正偏，集电结反偏B
射结反偏，集电结反偏C
射结反偏，集电结正偏D
射结正偏，集电结正偏