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NPN型晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以可以互换使用。

参考答案和解析
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考题 若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
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考题 三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 不含杂质的半导体叫做() A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体D、晶体管
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考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列关于半导体的说法正确的是()。 A、P型半导体带正电，N型半导体带负电B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用D、以上说法都是错误的
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考题 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
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考题 PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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考题 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
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考题 晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。
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考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
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考题 半导体晶体管所以具有单向导电性，是因为制造时使用特殊工艺，将P型半导体与N型半导体结合在一起，从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。
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考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
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考题 晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 在本质半导体加入三价的硼，则成为（）。A、N型B、P型C、NPN型D、PNP型
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考题 将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
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考题 PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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考题 单选题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。A 基区B 栅区C 集电区D 发射区
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考题 填空题晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。
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考题 判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A 对B 错
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