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本征半导体的两种载流子为自由电子和 。


参考答案和解析
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考题 ()自由电子为N型半导体的载流子。

考题 本征半导体的载流子是()。

考题 自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

考题 本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()

考题 P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh()

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

考题 P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。

考题 在本征半导体中,因为有自由电子和空穴两种载流子,所以其导电能力很强。

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 半导体中有()和()两种载流子,在本征半导体中掺着()阶元素,可形成P型半导体。

考题 半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

考题 在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

考题 半导体中有()和()两种载流子。本征半导体的导电能力取决于(),杂质半导体的导电能力主要取决于()

考题 半导体中有两种载流子即:自由电子和()。

考题 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 填空题自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

考题 填空题空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。

考题 填空题P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。

考题 单选题本征半导体载流子()A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等