考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
A.原极；B.漏极；C.栅极；
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
考题
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
考题
耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
考题
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
考题
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
考题
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
考题
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压
考题
单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A
半导体二极管；B
晶体三极管；C
场效应晶体管；D
双向晶闸管。
