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流入霍尔元件激励电流端的电流I越大,作用在薄片上的磁感应强度B越强,霍尔电动势也就越低


参考答案和解析
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考题 减小霍尔元件的输出不等电位电动势的办法是()。 A.使用电桥调零电位器B.减小磁感应强度C.减小激励电流

考题 霍尔电动势的方向决定于()的方向。 A.输入电流B.输入电流和磁感应强度C.磁感应强度D.输入电流或磁感应强度

考题 公式eh=khibcosθ中的角θ是指()。 A.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角B.磁力线与霍尔元件内部电流反方向的夹角C.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角D.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角

考题 利用霍尔效应制作的霍尔元件.广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图,磁感应强度为B,磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里,通入图示方向的电流为I,a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是(  )。 A.若霍尔元件的载流子是正电荷,a侧电势高于b侧 B.若霍尔元件的载流子是负电荷,a侧电势高于b侧 C.无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧 D.霍尔元件给定后,霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流,的大小

考题 霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。

考题 霍尔效应的原因是()A、电流在磁场中受到洛仑兹力B、霍尔元件在磁场中感生出电动势C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力D、霍尔元件在磁场中受到重力

考题 霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。

考题 霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().A、霍尔元件的材质B、元件的尺寸C、控制电流iD、元件所在磁场的磁感应强度E、电流i与磁场方向的夹角

考题 霍尔电压UH与控制电流I及磁感应强度B成反比。

考题 在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

考题 霍尔电压UH与()成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者

考题 霍尔元件产生的霍尔电动势极性与()有关。A、磁场方向B、控制电流方向C、磁场方向和控制电流方向D、材料

考题 关于霍尔电势下列说法正确的是()。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对

考题 可以减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是()。A、增加激励电流B、增强磁感应强度C、使用电桥调零电位器

考题 霍尔电势公式中的角θ是指()。A、磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角B、磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角C、磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角

考题 霍尔元件越薄,霍尔电势就越大。

考题 霍尔灵敏度表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。

考题 霍尔电动势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数成()而与霍尔片厚度成(),为了提高灵敏度霍尔元件常做成()形状。

考题 霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

考题 在发电厂、变电所里,霍尔元件的主要应用是霍尔电流传感器(也称霍尔电流计),它是一种接触式传感器。

考题 单选题霍尔电势公式中的角θ是指()。A 磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角B 磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角C 磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角

考题 单选题减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是()A 减小激励电流B 减小磁感应强度C 使用电桥调零电位器

考题 单选题可以减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是()。A 增加激励电流B 增强磁感应强度C 使用电桥调零电位器

考题 多选题霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().A霍尔元件的材质B元件的尺寸C控制电流iD元件所在磁场的磁感应强度E电流i与磁场方向的夹角

考题 单选题公式EH=KHIBcosθ 中的角θ是指()A 磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角B 磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角C 磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角D 霍尔元件内部a、b端连线与c、d端连线的夹角

考题 多选题霍尔电压UH与()成正比。A控制电流IB霍尔元件的面积SC磁感应强度BD以上三者

考题 多选题霍尔元件的输出电势Vh于下列()成正比。A垂直于霍尔元件的磁感应强度B输入端电流C电流与磁场方向的夹角余弦D电流通过的时间E电流与磁场方向的夹角余切

考题 单选题下列关于霍尔效应描述中,正确的是()。A 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定B 霍尔系数越大,霍尔电势越小C 霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大D 磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小