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1、N沟道和P沟道场效应管的区别在于_______。

A．导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴

B．衬底材料前者为硅，后者为锗

C．衬底材料前者N型，后者为P型

D．导电沟道中载流子前者为空穴，后者为自由电子

参考答案和解析
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
更多 “1、N沟道和P沟道场效应管的区别在于_______。A．导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴B．衬底材料前者为硅，后者为锗C．衬底材料前者N型，后者为P型D．导电沟道中载流子前者为空穴，后者为自由电子” 相关考题
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 （）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 单选题结型场效应管可分为（）。A MOS管和MNS管B N沟道和P沟道C 增强型和耗尽型D NPN型和PNP型
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