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当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有少子反型、多子积累还有

参考答案和解析
恒流源
更多 “当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有少子反型、多子积累还有” 相关考题
考题 PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移
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考题 P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
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考题 P（N）型半导体的多子、少子
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 当用并励直流电动机拖动的电力机车下坡时，如果不加以制动，当转速超过理想空载转速后，电机进入发电机运行状态．此时电枢电流将反向，电枢电动势将（）。A、小于外加电压B、等于外加电压C、大于外加电压D、不一定
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 PN结加正向电压时，其正向电流是（）。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成
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考题 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
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考题 在外电场作用下，漂移电流主要是（）运动引起，扩散电流主要是（）运动引起。A、多子，少子B、少子，多子C、多子，多子D、少子，少子
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
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考题 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴
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考题 场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子
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考题 名词解释题P（N）型半导体的多子、少子
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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考题 单选题PN结加反向电压，则（）A 有利于少子的扩散B PN结电阻变小C PN结变薄D 不利于多子的扩散
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考题 填空题在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 单选题半导体受光照、外电场作用，载流子浓度就要发生变化，这时半导体处于非平衡态。光照时（）的浓度几乎不变，（）的浓度却大大增加，因而可以说，一切半导体光电器件对光的响应都是（）的行为。请选择正确的答案（）A 多子---少子---少子；B 少子---多子---多子；C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 问答题杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？
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考题 单选题PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A 多子扩散B 少子扩散C 少子漂移D 多子漂移
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