网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

清洗硅片的原则是去除硅片表面的杂质和沾污和

参考答案和解析
防止再污染
更多 “清洗硅片的原则是去除硅片表面的杂质和沾污和” 相关考题
考题 “要向硅片挑战，DNA还有很长的路要走”的意思是（ ）。A.DNA的计算速度远远落后于硅片B.硅片的工作效率低于DNAC.DNA的配置不如硅片D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多
查看答案
考题 例出典型的硅片湿法清洗顺序。
查看答案
考题 化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
查看答案
考题 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。A、颗粒B、金属C、有机分子D、静电释放（ESD）E、水
查看答案
考题 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A、耐热陶瓷器皿B、金属器皿C、石英舟D、玻璃器皿
查看答案
考题 沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。A、不会影响成品率B、晶圆缺陷C、成品率损失D、晶圆损失
查看答案
考题 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。A、加强工艺操作B、加强人体和环境卫生C、使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备D、采用HCl氧化工艺E、硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹
查看答案
考题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
查看答案
考题 绒面结构及作用；单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。
查看答案
考题 晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
查看答案
考题 问答题硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？
查看答案
考题 问答题硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？
查看答案
考题 填空题刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
查看答案
考题 单选题硅片制备主要工艺流程是（）A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
查看答案
考题 判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A 对B 错
查看答案
考题 判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A 对B 错
查看答案
考题 问答题硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？
查看答案
考题 填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
查看答案
考题 单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
查看答案
考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
查看答案
考题 问答题硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？
查看答案
考题 填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
查看答案
考题 问答题说明RCA清洗硅片的方法，SC-1和SC-2的配方特点
查看答案
考题 判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A 对B 错
查看答案
考题 问答题简述硅片清洗目标
查看答案
考题 判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A 对B 错
查看答案
考题 问答题采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
查看答案
考题 填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
查看答案
热门标签
最新试卷