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判断题
不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
A
对
B
错
参考答案
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解析：
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考题
维德公司是一家太阳能电池制造商，核心材料是硅片，该公司每年需要硅片5000万片，外购成本每片3元。公司又有硅片生产部门有能力制造这种硅片，自制硅片的单位相关成本资料如下：
要求：结合下列各种情况下，分别作出该公司是自制还是外购硅片的决策。
1、如果公司现在具有足够的剩余生产能力，且剩余生产能力无法转移；
2、如果公司现在具备足够的剩余生产能力，但剩余生产能力可以转移用于生产半导体，生产半导体的年利润为5000万元；
3、如果公司目前只有生产硅片2000万片的生产能力，且无法转移，若自制5000万片，则需租入设备30台，月租金500万元；
4、条件同（3），如果公司可以采用自制和外购外胎两种方式的结合，自制2000万片，超出的3000万片是否应该外购
考题
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A
有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B
在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C
变成刻蚀介质以形成一个凹槽D
在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
问答题一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？
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