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应变电阻效应是由材料的几何尺寸变化和电阻率变化组成的,半导体材 料以前者作用占主导,金属材料以后者作用为主导。


参考答案和解析
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更多 “应变电阻效应是由材料的几何尺寸变化和电阻率变化组成的,半导体材 料以前者作用占主导,金属材料以后者作用为主导。” 相关考题
考题 外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化

考题 半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。()

考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。 A. 截面积B. 电阻率C. 长度D. 高通

考题 电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率

考题 半导体应变片主要是利用半导体材料的()A、形变B、电阻率的变化C、弹性模量的变化D、泊松比的变化

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

考题 金属材料受不同载荷作用而发生的几何形状和尺寸的变化称为变形,可分为弹性变形和()。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积

考题 当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

考题 金属电阻应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的()变化产生的。A、尺寸B、电阻率C、形状D、材质

考题 金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

考题 金属材料的应变效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。

考题 关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为()。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应

考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是()。A、长度B、截面积C、电阻率D、高通

考题 影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

考题 影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

考题 单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A 贴片位置的温度变化B 电阻丝几何尺寸的变化C 电阻丝材料的电阻率变化

考题 填空题当测量较小应变值时,应选用电阻应变效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

考题 填空题指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 单选题影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。A 导电材料电阻率的变化B 导电材料几何尺寸的变化C 导电材料物理性质的变化D 导电材料化学性质的变化

考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 填空题导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和()两部分组成。