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电源电压相同时，TTL与非门的抗干扰能力比CMOS门强。

参考答案和解析
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考题 TTL与非门与CMOS与非门的逻辑功能不一样。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CMOS电路与TTL电路相比较，( )。A、前者抗干扰能力强B、后者抗干扰能力强C、二者工作速度相差很大D、二者工作速度很接近
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考题 CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大
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考题 能够实现“线与”逻辑的逻辑门电路有()。 A.三态门B.CMOS反向器C.TTL与非门D.集电极开路门
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考题 TTL与非门扇出系数的大小反映了与非门( )的大小。 A.抗干扰能力B.工作速度C.电源电压D.带负载能力
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考题 能实现分时传送数据逻辑功能的是（　　）。 A． TTL与非门 B． 三态逻辑门 C． 集电极开路门 D． CMOS逻辑门
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考题 HTL与非门与TTL与非门相比（）A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强
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考题 CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。
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考题 供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
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考题 TTL电路的电源电压为5V，CMOS电路的电源电压为？
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考题 CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路（）。
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考题 下列各门电路中，（）的输出端可直接相连，实现线与。A、一般TTL与非门B、集电极开路TTL与非门C、一般CMOS与非门D、一般TTL或非门
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考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
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考题 TTL门电路的优点是抗干扰能力强。
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考题 出现下列五种逻辑门中哪几种的输出可以并联使用。（）A、TTL集电极开路门；B、普通具有推拉式输出的TTL与非门；C、TTL三态输出门；D、普通CMOS门；E、CMOS三态输出门。
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考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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考题 与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）A、噪声容限低B、电源适用范围宽C、功耗极低D、扇出能力强
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考题 在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A、倒相B、逻辑乘C、提高带负载能力D、提高抗干扰能力
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考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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考题 CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。
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考题 HTL与TTL与非门相比，具有（）的特点。A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL运行速度大C、HTL比TTL抗干扰能力强D、各种性能都一样
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考题 下列不属于TTL与非门电路特点的是（）。A、开关速度较低B、抗干扰能力较强C、输出幅度大D、带负载能力较强
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考题 如果CMOS电路电源电压与TTL不同，则用TTL电路驱动CMOS电路时，应该采用（）A、电平移动器B、缓冲器C、放大器D、比较器
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考题 多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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考题 问答题TTL电路的电源电压为5V，CMOS电路的电源电压为？
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考题 填空题一般TTL门和CMOS门相比，TTL门的（）能力强，CMOS门的（）能力强。
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考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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考题 单选题在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A 倒相B 逻辑乘C 提高带负载能力D 提高抗干扰能力
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