考题
工作于放大区的三极管,当IB从20μA增加到40μA时,IC从1mA变成2mA,则它的β约为()
A、50B、100C、200D、20
考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。
A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
考题
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
考题
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。
A.增大B.不变C.减小
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()
A.增大B.不变C.减小D.不确定
考题
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A、83；B、91；C、100
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
电子电位差计测量桥路在设计时一般规定为（）。A、上支路电路电流为2mA；下支路电流为4mAB、上支路电路电流为4mA；下支路电流为2mAC、上、下支路电流均为2mAD、上、下支路电流均为4mA
考题
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
考题
跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
考题
工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为。（）A、10B、50C、80D、100
考题
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
考题
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。A、83B、91C、100
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
常温下，若晶极管的ICQ=2mA，则gm=（）
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
考题
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
工作在放大区的某晶体管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA，它的β约为（）A、 10B、 50C、100
考题
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
考题
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
考题
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
考题
单选题工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A
83B
91C
100
考题
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A
对B
错
考题
单选题场效应管是以（）控制漏极电流ID。A
UDGB
UDSC
UGSD
IGS