考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
当在PN结上加正向电压时,PN结处于( )状态。A.击穿
B.饱和
C.截止
D.导通
考题
稳压管的稳压性能是利用( )实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
PN结加上()电压就导通,加上()电压就截止的现象,称为PN结()。
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小,说明该管()。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿,集电结正常D、发射结正常,集电结击穿
考题
稳压管的稳压作用利用了PN结()击穿的原理。A、正向B、导通C、截止D、反向
考题
稳压管是利用()特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结,而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()
考题
PN结击穿后,它的反向电流将()A、急剧减小B、减小C、几乎不变D、急剧增大
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用()A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
下列()情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
考题
问答题什么是PN结?通过PN结可以获得直流电,这是利用了PN结的什么特性?解释其中原因。
考题
判断题硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。A
对B
错
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
考题
问答题什么是PN结的击穿现象,击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了?为什么?
考题
填空题根据不同的击穿机理,PN结击穿主要分为()和隧道击穿这两种电击穿。