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问答题
什么是PN结的击穿现象,击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了?为什么?

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考题 若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()

考题 当在PN结上加正向电压时,PN结处于( )状态。A.击穿 B.饱和 C.截止 D.导通

考题 稳压管的稳压性能是利用( )实现的。A.PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 C.PN结的正向导通特性 D.PN工艺特性

考题 PN结一旦击穿,就必然损坏。A对B错

考题 什么叫PN结的反向击穿?

考题 PN结一旦击穿,就必然损坏。

考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

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考题 用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小,说明该管()。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿,集电结正常D、发射结正常,集电结击穿

考题 PN结的主要特性是()。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性

考题 稳压管是利用()特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑

考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。

考题 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结,而雪崩击穿不会烧坏PN结。

考题 硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()

考题 PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,()。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变

考题 PN结的电击穿分为()和()两种类型。

考题 构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。

考题 PN结的反向击穿有雪崩和()两种击穿。

考题 半导体稳压管的稳压作用是利用()A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的

考题 用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿

考题 用万用表R3100Ω的欧姆挡,测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻,若都呈现出最小的阻值,则这只晶体管()。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧掉C、只是发射结被击穿D、只是基集被击穿

考题 问答题何谓PN结的击穿特性?

考题 填空题PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。

考题 填空题PN结的击穿有三种机理,它们分别是()、()和()。

考题 填空题根据不同的击穿机理,PN结击穿主要分为()和隧道击穿这两种电击穿。