考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
考题
当波源直径一定，探头频率增加时，其近场区长度（）。A、 增加B、 减少C、 不变D、 与频率无关
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。A、缩短B、不变C、增加D、扩散
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。
考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。
考题
同直径探头压电芯片的厚度越厚，其近场区（）。
考题
近场长度在频率给定时，随晶片直径的变小而变小。
考题
同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
考题
关于声场的特性，正确的是（ ）A、近场长度与探头半径和频率成正比B、近场横向分辨率高于远场C、近场声束呈喇叭形D、近场横断面上能量分布基本均匀E、远场声束直径小于近场
考题
声波的指向角，在频率一定时芯片直径越大，指向角（）。A、不变B、越大C、越小D、不确定
考题
探头的近场长度主要取决于（）。A、芯片厚度B、探头外形尺寸C、芯片直径和频率D、探头的种类
考题
邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A、扩散B、增大C、不变D、减小
考题
如果超声波的频率增加，一定直径芯片的指向角（）。A、减小B、保持不变C、增大D、随波长均匀变化
考题
超声束的指向角，在芯片直径给定时，频率愈高指向角度愈（）。A、愈大B、愈小C、不变
考题
填空题同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
考题
填空题同直径探头压电芯片的厚度越厚，其近场区（）。
考题
单选题探头的近场长度主要取决于（）。A
芯片厚度B
探头外形尺寸C
芯片直径和频率D
探头的种类
考题
判断题近场长度在频率给定时，随晶片直径的变小而变小。A
对B
错
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
判断题近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。A
对B
错
考题
单选题如果超声波的频率增加，一定直径芯片的指向角（）。A
减小B
保持不变C
增大D
随波长均匀变化
考题
单选题超声束的指向角，在芯片直径给定时，频率愈高指向角度愈（）。A
愈大B
愈小C
不变
