网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。


参考答案

更多 “斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。” 相关考题
考题 关于声场的特性,下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区

考题 关于声场的特性,下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比 B.近场区横向分辨率低于远场区 C.近场区声束呈喇叭形 D.近场区横断面上能量分布基本均匀 E.远场区声束直径小于近场区

考题 纵波声场存在近场区,横波声场不存在近场区。

考题 其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。

考题 在超声场中,()声压随距离增加单调减少。A、 近场区B、 远场区C、 盲区D、 未扩散区

考题 固体介质中的脉冲波声场的近场区,其声压极值点数量较理想声场(),且极大极小值幅度差异()。

考题 斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。

考题 横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

考题 什么是超声场的近场区和近场区长度?为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量?

考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

考题 固体介质中脉冲波声场的近场区其声压极值点数量较理想声场(),且极大极小值幅度()。

考题 直探头近场区在两种介质中的分布用N表示:()。

考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而缩短。

考题 近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。

考题 直探头近场区在两种介质中的分布用N表示:N= D2/4λ-L1C1/C2。

考题 近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

考题 简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

考题 斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

考题 邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

考题 判断题纵波声场存在近场区,横波声场不存在近场区。A 对B 错

考题 问答题简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A  增大B  不变C  减小D  都有可能

考题 单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()A K值增大时,近场区长度不变B K值增大时,近场区长度增大C K值增大时,近场区长度减小D K值与近场区长度无关

考题 判断题横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。A 对B 错

考题 填空题斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。

考题 问答题什么是超声场的近场区和近场区长度?为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量?

考题 判断题其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。A 对B 错