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单选题
某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（）
A

高频小功率NPN型硅三极管

B

高频大功率NPN型硅三极管

C

高频小功率PNP型锗三极管

D

高频大功率PNP型锗三极管

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考题 3DG6三极管的制作材料、类型是()。 A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
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考题 三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定
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考题 3DG6属于NPN型管。
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考题 当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流时，则该管子（）。A、放大能力降低B、必定过热至烧毁C、仍能正常工作D、被击穿
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考题 当晶体三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，则该管子（）。A、放大能力降低B、必定过热至烧毁C、仍能正常工作D、被击穿
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考题 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 如何用万用表来判别晶体三极管的基极和判别该管子是PNP型管还是NPN型管？
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考题 三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 测得晶体三极管IB=30μA时，IC=2.4mA；IB=40μA时，IC=3mA；则该管的交流电流放大系数为（）。A、60B、80C、75D、100
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 PACK（CT）条盒包装机的国产化型号为（）型条盒包装机。
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考题 X2硬盒包装机的国产化型号为（）型硬盒包装机。
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考题 某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是：U1=2V，U2=2.7V，U3=10V，则该管1脚是（）极，2脚是（）极，3脚是（）极，该管采用（）材料，类型是（）型。
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考题 已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（）A、1.00B、0.995C、0.99D、0.985
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考题 已知某晶体三极管的fT和β，则fβ=（）
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考题 场效应管属于（）控制型器件，而晶体三极管则认为是（）控制型器件。
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V，VB=-2.2V，VC=-6V，则该管的管型是（）
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考题 3DG6型晶体管的ICM=20Ma，BUcE0=20V，PcM=100Mw，如果将它接在电路中，Ic=15Ma，UcE=10V，则该管（）。A、工作正常B、击穿C、管子过热甚至烧坏D、必定烧坏
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考题 测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
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考题 某晶体三极管电流IB由10μA变化到50μA，IC由1.2mA增加到4.4mA，此时该管的电流放大倍数为（）。A、50B、60C、10D、80
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考题 3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（）。A、击穿B、工作正常C、功耗太大过热，甚至烧坏D、不确定
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考题 3DG6为（）型硅三极管。
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考题 如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流，则该管（）。A、放大能力降低B、击穿C、必定过热甚至烧坏D、D.上述C.皆可能
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考题 如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流，则该管（）。A、放大能力降低B、击穿C、管子过热甚至烧坏D、上述A、C皆可能
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考题 问答题如何用万用表来判别晶体三极管的基极和判别该管子是PNP型管还是NPN型管？
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