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判断题
制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。
A

对

B

错

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考题 下列关于资产负债率的说法中，正确的是( )。A.企业的债权人希望企业的自有资金利润率较高时，负债比例越大越好B.政府希望企业的自有资金利润率较高时，负债比例越大越好C.经营者希望全部资本利润率低于借款利息率时，负债比例越大越好D.股东希望全部资本利润率高于借款利息率时，负债比例越大越好
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考题 随机区组设计要求A．区组内个体差异越小越好，区组间差异越大越好B．区组内及区组间的差异都是越小越好C．组内没有个体差异，区组间差异越大越好D．组内个体差异越大越好，区组间差异越小越好E．区组内没有个体差异，区组间差异越小越好
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考题 随机区组设计要求A.区组内个体差异越小越好，区组间差异越大越好B.区组内及区组间的差异都是越小越好C.区组内没有个体差异，区组间差异越大越好D.区组内个体差异越大越好，区组间差异越小越好E.区组内没有个体差异，区组闻差异越小越好
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考题 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
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考题 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻
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考题 光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
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考题 随机区组设计要求（）。A、区组内个体差异越小越好，区组间差异越大越好B、区组内及区组间的差异都是越小越好C、区组内没有个体差异，区组间差异越大越好D、区组内个体差异越大越好，区组间差异越小越好E、区组内没有个体差异，区组间差异越小越好
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考题 一般总是希望η越大越好，这样可获得较高的探伤（）.
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考题 对于控制通道来说希望τ越大越好，而对扰动通道来说希望τ适度小点好。
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考题 测量电流时希望表头内阻越大越好。
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考题 功率放大器中希望非限性失真越大越好。
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考题 在自动控制系统中，希望系统的过渡过程所经历的动态偏差越小越好，时间越短越好。
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考题 填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
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考题 问答题为什么在串联反馈中希望信号源内阻越小越好，而在并联反馈中希望信号源内阻越大越好？
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考题 判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。A 对B 错
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考题 问答题解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。
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考题 判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A 对B 错
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考题 判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A 对B 错
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考题 判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A 对B 错
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考题 判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A 对B 错
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考题 单选题随机区组设计要求（　　）。A 区组内个体差异越小越好，区组间差异越大越好B 区组内及区组间的差异都是越小越好C 区组内没有个体差异，区组间差异越大越好D 区组内个体差异越大越好，区组间差异越小越好E 区组内没有个体差异，区组间差异越小越好
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考题 问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？
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考题 问答题掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？
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考题 判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A 对B 错
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