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单选题
抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）
A

去极化

B

超极化

C

反极化

D

复极化

参考答案

参考解析
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考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
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考题 膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
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考题 对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后膜出现超极化D．突触后膜去极化E．突触前膜去极化
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考题 突触前抑制是由于突触前膜A、产生抑制性突触后电位 B、释放抑制性递质 C、产生超极化 D、兴奋性递质释放减少 E、递质耗竭
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考题 突触后膜超极化A.突触前膜去极化 B.突触前膜外的Ca2+内流 C.递质释放 D.产生突触后电位 E.抑制性突触后电位
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考题 突触前抑制是由于突触前膜 A.产生超极化 B.释放抑制性递质 C.兴奋性递质释放减少 D.产生抑制性突触后电位
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考题 抑制性突触后电位 A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.是一种去极化抑制的突触后电位
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考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A.突触后膜对Ca、K通透性增大 B.突触后膜出现超极化 C.突触后膜极化 D.突触前轴突末梢超极化 E.突触后膜出现复极化
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考题 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。 A. B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是
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考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
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考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
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考题 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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考题 兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
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考题 抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）A、去极化B、超极化C、反极化D、复极化
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考题 神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na+通透性提高，将引起后膜的电位变化是（）A、兴奋性突触后电位B、抑制性突触后电位C、静息电位不变D、产生动作电位
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考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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考题 产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化
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考题 关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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考题 对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化
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考题 单选题突触前抑制产生的原因是突触前膜（　　）。A 递质耗竭B 释放抑制性递质C 产生超极化D 兴奋性递质释放减少E 产生抑制性突触后电位
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考题 单选题产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（　　）A B C D E
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考题 多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
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考题 单选题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A 突触前膜均去极化B 突触后膜均去极化C 突触前膜释放的递质性质一样D 突触后膜对离子通透性一样E 产生的突触后电位的最终效应一样
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考题 单选题对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A 突触前轴突末梢超极化B 对Ca2+、K+通透性增大C 突触后膜出现超极化D 突触后膜去极化E 突触前膜去极化
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考题 单选题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A 突触前轴突末梢超极化B 对Ca2+、K+通透性增大C 突触后膜出现超极化D 突触后膜去极化E 突触后膜出现复极化
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考题 单选题突触前抑制是由于突触前膜（）A 产生超极化B 释放抑制性递质C 递质耗竭D 兴奋性递质释放减少E 产生抑制性突触后电位
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考题 单选题抑制性突触后电位（）A 由突触前末梢递质释放减少而引起B 使突触后膜电位远离阈电位水平C 由突触后膜Na+电导增加而产生D 由突触后膜Ca2+电导增加而产生E 是一种去极化抑制的突触后电位
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