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填空题
半导体对光子的吸收可分为（）、（）、（）、（）、（）、（）。

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考题 半导体光纤温度计是利用某些半导体材料具有极陡的吸收光谱,对光的吸收随着温度的升高而明显降低的性质制成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。
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考题 用红外光激发分子使之产生振动能级跃迁时，化学键越强，则A、吸收光子的能量越大B、吸收光子的波长越长C、吸收光子的频率越大D、吸收光子的数目越多E、释放光子的数目越多
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考题 受激吸收的特点错误的是A、不是自发产生的B、需要有外来光子的激发才会发生C、外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生D、受激吸收对激发光子的振动方向没有限制E、受激吸收对激发光子的传播方向有限制
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 当用红外光激发分子振动能级跃迁时，化学键越强，则（　）A、吸收光子的能量越大B、吸收光子的波长越长C、吸收光子的频率越大D、吸收光子的波数越大
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考题 光子探头器件采用（）致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级
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考题 光电效应中光子被完全吸收，而康普顿效应中光子未被完全吸收。
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考题 在光电效应中，光子并没有被完全吸收，而在康普顿效应中则是光子完全被吸收
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考题 光电效应是光子被完全吸收，而康普顿效应是光子没有被完全吸收。
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考题 因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类。
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考题 受激吸收的特点错误的是（）A、不是自发产生的B、需要有外来光子的激发才会发生C、不需要有外来光子的激发就会发生D、外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生E、受激吸收对激发光子的振动方向没有限制
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考题 填空题光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生（）。
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考题 多选题用红外光激发分子使之产生振动能级跃迁时，化学键越强，则（）。A吸收光子的能量越大B吸收光子的波长越长C吸收光子的频率越大D吸收光子的数目越多E释放光子的数目越多
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考题 多选题当用红外光激发分子振动能级跃迁时，化学键越强，则（　）A吸收光子的能量越大B吸收光子的波长越长C吸收光子的频率越大D吸收光子的波数越大
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考题 填空题半导体对光子的吸收可分为（）、（）、（）、（）、（）、（）。
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 单选题一个氢原子从n=3能级跃迁到n=2能级，该氢原子（）。A 放出光子，能量增加B 放出光子，能量减少C 吸收光子，能量增加D 吸收光子，能量减少
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考题 判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A 对B 错
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考题 判断题在光电效应中，光子并没有被完全吸收，而在康普顿效应中则是光子完全被吸收A 对B 错
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考题 单选题在10～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收力95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是（）A 随光子能量升高光电吸收增加B 随光子能量升高康普顿吸收减少C 低管电压能产生高的软组织对比D 康普顿吸收能提高对比度E 光电吸收能抑制软组织对比度
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考题 问答题简述光子晶体和半导体间的异同。
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考题 填空题半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
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考题 单选题当半导体材料受到光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的变化，因而导致材料电导率的变化，这种现象称为（）A 光伏效应；B 光电导效应；C 光电发射效应；D 光热效应。
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考题 判断题光电效应中光子被完全吸收，而康普顿效应中光子未被完全吸收。A 对B 错
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考题 填空题半导体可分为元素半导体，（）；按价电子数可分为（）。
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考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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