考题
场效应管是( ) 器件。
A.电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流
考题
半导体三极管是()控制器件,场效应管是()控制器件。
A、电流B、电压C、电阻D、频率
考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件
考题
半导体三极管是一种()。
A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件
考题
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
A.原极；B.漏极；C.栅极；
考题
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件
考题
场效应管与普通半导体三极管不同的是，它是电压控制器件
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
场效应管属于（）控制型器件，而半导体三极管则可以认为是（）控制型器件。A、电阻B、电压C、电容D、电流E、电功F、电导
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
场效应管本质上是一个（）A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件
考题
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
考题
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
考题
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
考题
场效应管是一种（）A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件
考题
场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
考题
场效应管属于（）控制型器件A、电荷B、电压C、电流
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
考题
晶体三极管和场效应管分别是（）。A、电压控制器件，电流控制器件B、电流控制器件，电压控制器件C、均为电压控制器件
考题
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A
栅极电流B
栅源电压C
漏源电压D
栅漏电压
考题
单选题场效应管本质上是一个（）A
电流控制电流源器件B
电流控制电压源器件C
电压控制电流源器件D
电压控制电压源器件
考题
单选题场效应管是（）器件。A
电流控制电压B
电压控制电压C
电压控制电流D
电流控制电流