考题
光学镜片表面耐磨损膜的处理方法主要是()。
A.提升法B.真空电镀法C.阴极溅射法D.离子镀法
考题
离子束加工包括( )。
A.离子束溅射去除加工B.离子束溅射镀膜C.离子束溅射注入D.离子束焊接
考题
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A、电子B、中性粒子C、带能离子
考题
一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。A、产生一个离子并导向靶B、被轰击的原子向硅晶片运动C、离子把靶上的原子轰出来D、经过加速电场加速E、原子在硅晶片表面凝结
考题
（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A、溅射率B、溅射系数C、溅射效率D、溅射比
考题
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A、蒸镀B、溅射C、离子注入D、CVD
考题
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射
考题
用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
光学镜片表面耐磨损膜的处理方法主要是（）。A、提升法B、真空电镀法C、阴极溅射法D、离子镀法
考题
轰击X射线管阳极靶的电子速度取决于（）A、阳极靶材料的原子序数B、管电压C、管电流D、阳极与阴极之间的电位差
考题
用氘核轰击铍靶，产生的是（）A、质子B、快中子C、π负介子D、氮离子E、氖离子
考题
镜片表面镀加硬膜层时，镜片从涂膜液中提取后下一步进行（）。A、正离子轰击溅射镀膜B、冷却C、在100℃左右的烘箱中聚合4～5小时D、进行凝胶化处理
考题
Χ射线管中轰击靶产生Χ射线的高速电子的数量取决于（）。A、阳极靶材料的原子序数；B、阴极靶材料的原子序数；C、灯丝材料的原子序数；D、灯丝的加热温度。
考题
X射线管中轰击靶的电子运动速度取决于（）A、靶材的原子序数B、管电压C、管电流D、灯丝电压
考题
（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A、薄膜成长B、蒸发C、薄膜沉积D、溅射E、以上都正确
考题
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
单选题光学镜片表面耐磨损膜的处理方法主要是（）。A
提升法B
真空电镀法C
阴极溅射法D
离子镀法
考题
单选题Χ射线管中轰击靶的电子运动的速度取决于（）A
靶材的原子序数B
管电压C
管电流D
灯丝电流
考题
单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A
溅射物理气相沉积B
蒸发物理气相沉积C
等离子增强化学气相沉积D
低压化学气相沉积
考题
判断题常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。A
对B
错
考题
单选题Χ射线管中轰击靶产生Χ射线的高速电子的数量取决于（）。A
阳极靶材料的原子序数；B
阴极靶材料的原子序数；C
灯丝材料的原子序数；D
灯丝的加热温度。
考题
判断题电刷镀时，加工工件接负极，镀笔接正极。镀液中的金属正离子在电场作用下在阴极表面获得电子而沉积涂镀在阴极表面，满足工件尺寸和表面性能的要求。A
对B
错
考题
单选题Χ射线管中轰击靶的电子运动的速度取决于（）A
靶材的原子序数B
管电压C
.管电流D
灯丝电流
考题
单选题“PECVD”中文表述是（）。A
脉冲激光沉积B
金属有机化学气相沉积C
溅射D
等离子体增强化学气相沉积
考题
多选题轰击X射线管阳极靶的电子速度取决于（）A阳极靶材料的原子序数B管电压C管电流D阳极与阴极之间的电位差
考题
判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A
对B
错
考题
单选题镜片表面镀加硬膜层时，镜片从涂膜液中提取后下一步进行（）。A
正离子轰击溅射镀膜B
冷却C
在100℃左右的烘箱中聚合4～5小时D
进行凝胶化处理