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pn结击穿指（）。

A．反向电压随反向电流增加迅速增加的现象

B．正向电流随反向电压增加迅速增加的现象

C．正向电压随正向电流增加迅速增加的现象

D．反向电流密度随反向电压增加突然开始迅速增加的现象

参考答案和解析
反向电流密度随反向电压增加突然开始迅速增加的现象
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考题 用万用表R×100Ω的欧姆挡,测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻,若都呈现出最小的阻值,则这只晶体管()。 A.两个PN结都被击穿B.两个PN结都被烧掉C.只是发射结被击穿D.只是基集被击穿
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考题 用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
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考题 若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
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考题 当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿 B.饱和 C.截止 D.导通
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考题 稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 C.PN结的正向导通特性 D.PN工艺特性
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考题 PN结一旦击穿，就必然损坏。A对B错
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考题 什么叫PN结的反向击穿？
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考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
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考题 稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
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考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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考题 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
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考题 硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
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考题 PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
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考题 PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
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考题 PN结的电击穿分为（）和（）两种类型。
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考题 构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
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考题 PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。
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考题 半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
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考题 用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
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考题 用万用表R3100Ω的欧姆挡，测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧掉C、只是发射结被击穿D、只是基集被击穿
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考题 问答题何谓PN结的击穿特性？
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考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
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考题 填空题PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
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考题 问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？
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考题 填空题根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。
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