考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿
B.饱和
C.截止
D.导通
考题
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
晶体三极管有两个PN结，分别是（）和（），分三个区域：（）区、（）区和（）区。晶体管的三种工作状态是（）、（）和（）。
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
单结晶体管的内部一共有1个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是（）、（）和（）。
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
问答题PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
考题
填空题单结晶体管的内部一共有1个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是（）、（）和（）。
考题
问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？
考题
填空题根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。