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用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取（）避免少数载流子注入的影响。

A．引入杂质

B．改变接触

C．增加表面复合

D．减少表面复合

参考答案和解析
增加表面复合
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
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考题 P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
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考题 金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随（）而（），而半导体的电阻率随（）而（）（少数除外）。
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考题 半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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考题 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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考题 化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果
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考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A 越高B 不确定C 越低D 不变
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考题 填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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