考题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。
A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
考题
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
考题
本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
考题
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
考题
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，导体作用主要由空穴决定。此题为判断题(对，错)。
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
考题
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
考题
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
考题
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
考题
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A
对B
错
考题
单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A
越高B
不确定C
越低D
不变
考题
单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A
非本征B
本征
考题
填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
考题
单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A
温度提高导电能力提高B
有两种载流子C
电阻率很小，接近金属导体D
参杂质后导电能力提高