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LED的导通压降和普通二极管相同,约为0.7V。


参考答案和解析
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考题 型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V

考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

考题 常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

考题 二极管电路如图7-48所示,三个二极管的正向压降均为0.7V,它们的工作状态是()。 A.三管均导通 B.VD1截止,VD2、VD3导通 C.VD1导通,VD2、VD3截止 D.三管均截止

考题 型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。A、1VB、0.2VC、0.6V

考题 小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

考题 二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

考题 二极管导通时,正向压降为0.7V。

考题 硅二极管导通后的管压降是()伏。

考题 二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

考题 二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通

考题 在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为()伏;其门坎电压Vth约为()伏。

考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

考题 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

考题 绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏?

考题 红色发光二极管导通时的正向压降约为()。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化,无法确定

考题 单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。A 1VB 0.2VC 0.6V

考题 单选题常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A 0.1B 0.3C 0.5D 0.7

考题 问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

考题 填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。