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LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。

A．SiCl4→Si+2Cl2

B．SiH4 →Si+2H2

C．Si3N4→3Si+2N2

D．SiH2Cl2→Si+Cl2+H2

参考答案和解析
B
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考题 一定温度下，某反应的标准平衡常数K Θ 的数值： （A）恒为常数，并与反应方程式的写法有关 （B）由反应方程式的写法而定 （C）随平衡浓度及平衡分压而定 （D）由加入反应物的量而定
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考题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
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考题 CUMS柴油机怠速，其转速达600-650转/分，油压为（）以上，电压为（）左右。 
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考题 判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A 对B 错
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考题 判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A 对B 错
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