网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
判断题
在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A 对B 错” 相关考题
考题 低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

考题 A.正反应速率增大,逆反应速率减小 B.正反应速率增大,逆反应速率增大 C.正反应速率减小,逆反应速率增大 D.正反应速率减小,逆反应速率减小

考题 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

考题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

考题 对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

考题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?

考题 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

考题 损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡

考题 淀积粘化

考题 淀积黏粒胶膜

考题 腐殖质淀积层

考题 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

考题 下述结论对平行反应不适合的是()。A、总反应速率等于同时进行的各个反应速率之和B、总反应速率常数等于同时进行的各个反应速率常数之和C、各产物的浓度之积等于相应反应的速率常数之积D、各反应产物的生成速率之比等于相应产物的浓度之比

考题 名词解释题化学气相淀积

考题 问答题化学气象淀积是什么?

考题 问答题简述化学气相淀积的概念?

考题 名词解释题预淀积

考题 判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制A 对B 错

考题 判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制A 对B 错

考题 问答题化学气相淀积(CVD)的概念,有哪五种基本化学反应?

考题 判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A 对B 错

考题 问答题物理气相淀积主要有哪三种技术?

考题 名词解释题灰化淀积物质

考题 名词解释题物理气相淀积(pvd)

考题 问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

考题 问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

考题 问答题为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?