考题
二极管反偏时,说法正确的是( )。
A.在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B在达到死区电压之前，反向电流很小C二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关
考题
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()
A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
考题
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
考题
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
当三极管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏，后者也反偏B.前者正偏，后者反偏C.前者正偏，后者也正偏
考题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
考题
二极管反偏时，以下说法正确的是（）A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前，反向电流很小C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大，称为反向饱和电流
考题
给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
考题
给PN结加正向电压（正偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
考题
两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
考题
PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
考题
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
考题
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
考题
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A
集电结正偏，发射结反偏B
集电结反偏，发射集正偏C
集电结，发射结均反偏D
集电结，发射结均正偏
考题
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A
发射结和集电结同时反偏B
发射结正偏，集电结反偏C
发射结和集电结同时正偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
考题
问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
考题
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。