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增强型PMOS管的开启电压大于零。

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考题 增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
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考题 什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
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考题 在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.A、零电流开启B、零电流关断C、零电压开启D、零电压关断
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考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
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考题 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。
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考题 市电检测环节，地线正常的标准是？（）A、零地电压=0vB、零地电压大于0v小于5vC、零地电压高于5vD、零地电压大于0v小于10v
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考题 PMOS管的开启电压UT为（）。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能
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考题 当三极管的发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏时，三极管处于（）状态。A、截止B、放大C、饱和D、临界
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考题 在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。
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考题 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压
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考题 增强型场效应管中，用Vt表示（）电压。
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考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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考题 EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
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考题 NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
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考题 问答题MOS管的开启电压有那些因素决定？
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考题 问答题简述PMOS管的具体结构。
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考题 单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A 大于零B 等于零C 大于0.7VD 小于零
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