考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
考题
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
考题
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
考题
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
考题
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A
立即导通B
若超过0.3V才导通C
若越过死区电压就导通
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A
对B
错
考题
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A
0.7B
0.5C
0.2
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？