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如果射线控伤底片上单个气孔的尺寸超过母材厚度的112即为工IV级


参考答案

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考题 如果射线探伤底片上单个气孔的尺寸超过母材厚度的1/2时即作为()。 A、Ⅰ级B、Ⅱ级C、Ⅲ级D、Ⅳ级

考题 标准规定,如果单个气孔的尺寸超过母材厚度的1/2,即为()。 A、I级B、Ⅱ级C、Ⅲ级D、Ⅳ级

考题 在照相底片上,如果单个气孔的尺寸超过母材厚度的1/2时,既作为()级。 A、ⅠB、ⅡC、ⅢD、Ⅳ

考题 只要焊缝中存在有裂纹,焊缝经射线探伤后的底片就属于IV级。() 此题为判断题(对,错)。

考题 对射线探伤后底片上的气孔缺陷评定等级时,只需计算气孔的点数,与气孔的大小没有关系。() 此题为判断题(对,错)。

考题 铝合金熔化焊时,焊接前焊丝或母材上的()、油污没有清理干净,极易形成气孔。

考题 如果工件中存在厚度差,那么射线穿透工件后,不同厚度部位的透过射线的强度就会不同,曝光后暗室处理得到的底片上不同部位就会产生不同()A、黑度B、对比度C、不清晰度D、亮度

考题 采用单色宽束射线透照厚度为30mm的对接双面焊缝,焊缝两面焊冠总计4mm,假定母材和焊缝的半值层均为4mm,射线透过母材和焊缝后的散射比分别为2.0和2.4,求射线透过母材后到达胶片的照射量是透过焊缝后到达胶片照射量的多少倍?

考题 在母材厚度为16mm的焊缝底片上,有a、b、c三条间距均为20mm,且平行于焊缝的条渣a=4mm、b(中间的)=8mm、c=5mm),其中缺陷a和c在同一直线上,b缺陷与ac连线间的最小距离为3mm,此底片可评为()级。A、IB、IIC、IIID、IV

考题 在分别含有气孔和钨粒的钢焊缝X射线底片上,比它们周围其他地方看起来较黑的是气孔。

考题 缺陷沿射线方向的尺寸与底片上缺陷影像的大小成正比。

考题 对母材厚度为12毫米的双面焊接的焊缝进行射线探伤时,在底片上能发现直径为0.32毫米的钢丝质象质计,其质象计灵敏度为()A、1%B、1.5%C、2%D、2.5%

考题 如果母材的密度比缺陷的密度大一倍,而母材的原子序数比缺陷的原子序数小一半时,缺陷在底片上所成的象是白斑。

考题 若图纸无特殊要求,对母材厚度小于6mm,搭接接头最大角焊缝尺寸为(),若母材厚度等于或大于6mm,搭接接头最大角焊缝尺寸为()。

考题 焊缝局部热处理时,每侧母材的加热宽度及接管外围母材的加热宽度分别是()。A、母材厚度2倍和接管、母材中较大厚度的4倍B、母材厚度4倍和接管、母材中较大厚度的2倍C、母材厚度2倍和接管、母材中较大厚度的6倍D、母材厚度6倍和接管、母材中较大厚度的2倍

考题 在照相底片上,如果单个气孔的尺寸超过母材厚度的1/2时,即作为()级.

考题 按AB级象质要求,192Irγ射线允许透照的母材厚度范围()mm。A、20-100B、40-90C、30-95D、以上都不是

考题 射线底片上,沿焊缝熔合区边缘的宽度不等的黑线是:()A、咬边B、未熔合C、气孔D、疏松

考题 射线源尺寸、试样厚度和射线源到试样的距离确定后,也就确定了下述什么参数?()A、底片上的密度B、胶片的实际尺寸C、底片上的不清晰度D、底片上的对比度

考题 按《压力容器安全技术检察规程》规定,局部探伤的压力容器拼接封头(管板)的对接接头,应这样探伤()。A、仍按20%探伤,但探伤方法选用射线照相,Ⅲ级合格B、进行100%的射线照相,母材厚度超过38mm时还应进行局部超声探伤,Ⅲ级合格C、进行100%的射线照相,母材超过38mm时还应进行局部超声探伤,Ⅱ级合格D、以上均可

考题 多选题对于AB级照相而盲,采用192Ir源可透照母材厚度下限力()mm;采用60Co源可透照的母材厚度下限为()mm。当采用内透照时,母材厚度可为下限值的1/2。A20B30C40D50

考题 填空题若图纸无特殊要求,对母材厚度小于6mm,搭接接头最大角焊缝尺寸为(),若母材厚度等于或大于6mm,搭接接头最大角焊缝尺寸为()。

考题 单选题射线源尺寸、试样厚度和射线源到试样的距离确定后,也就确定了下述什么参数?()A 底片上的密度B 胶片的实际尺寸C 底片上的不清晰度D 底片上的对比度

考题 单选题对母材厚度为12毫米的双面焊接的焊缝进行射线探伤时,在底片上能发现直径为0.32毫米的钢丝质象质计,其质象计灵敏度为()A 1%B 1.5%C 2%D 2.5%

考题 判断题如果母材的密度比缺陷的密度大一倍,而母材的原子序数比缺陷的原子序数小一半时,缺陷在底片上所成的象是白斑。A 对B 错

考题 单选题按AB级象质要求,192Irγ射线允许透照的母材厚度范围()mm。A 20-100B 40-90C 30-95D 以上都不是

考题 单选题RT底片欲得较真实的缺陷尺寸则应()A 缩小射线至底片的距离,且将底片紧贴试件B 增加射线至底片的距离,且将底片紧贴试件C 缩小射线至底片的距离,且将底片远离试件D 增加射线至底片的距离,且将底片远离试件