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通常结晶都在()区操作

  • A、不稳
  • B、稳定
  • C、介稳
  • D、饱和

参考答案

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考题 控制轧制分为奥氏体再结晶区控制轧制、奥氏体未再结晶区控制轧制和__________控制轧制。

考题 在不易淬火钢的热影响区中,薄弱区域是( )。A.过热区B.部分重结晶区C.正火区D.再结晶区

考题 在碳化塔内,碳化液结晶的实际操作线在()。A、冷却段B、吸收段C、结晶段D、介稳区

考题 再结晶退火的温度通常比理论再结晶温度约低500℃,促进再结晶以较快的速度进行

考题 在不易淬火钢的热影响区中,薄弱区域是()。A、过热区B、部分重结晶区C、正火区D、再结晶区

考题 工业上使用最广泛的结晶操作是()。A、溶液结晶B、升华结晶C、盐析D、熔融结晶

考题 再结晶退火的温度通常比理论再结晶温度约高100~150℃,促进再结晶以较快的速度进行

考题 为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可

考题 通常,实际结晶温度低于理论结晶温度,其差值以ΔT表示,称为()。

考题 低碳钢的焊接接头热影响区包括()、()、不完全重结晶区、再结晶区。

考题 铝和铝合金的焊接热影响区可分为晶粒长大区和()两个区。A、完全重结晶区B、再结晶区C、不完全重结晶区

考题 在结晶操作中,适当地增加搅拌强度,()A、可以增大饱和度B、可以降低饱和度C、可以使介稳区扩大D、可以使不稳区扩大

考题 在吸附操作过程中,固定床沿流体流动方向可依次分为平衡区、传质区和末用区。下面说法不正确的是()A、平衡区的吸附剂已不具备吸附能力B、随着吸附操作的进行,平衡区中吸附质的浓度会越来越高C、流体中的吸附质几乎都在传质区被吸附D、随着吸附操作的进行,未用区越来越少

考题 何谓结晶操作?结晶操作有哪些特点?

考题 “超级月亮”通常都在()的时候出现。

考题 结晶区

考题 气孔、夹渣、偏析等缺陷大多产生于()A、热影响区的再结晶区B、热影响区的不完全重结晶区C、焊缝金属一次结晶过程D、焊缝金属二次结晶过程

考题 有关纤维素分子说法正确的有()A、具有结晶区与非定形区B、具有无定形区和非结晶区C、具有定形区和非结晶区D、具有两相结构

考题 分散染料一般上染涤纶纤维的()。A、无定形区B、结晶区C、结晶区边缘D、高度取向区

考题 卧式结晶设备可以进行连续结晶操作。

考题 结晶操作时,结晶过程有()发生,乳糖结晶时每mol产生的热量为()。

考题 多选题有关纤维素分子说法正确的有()A具有结晶区与非定形区B具有无定形区和非结晶区C具有定形区和非结晶区D具有两相结构

考题 填空题不易淬火钢的焊接热影响区主要由()区、完全重结晶区、不完全重结晶区及()区组成。

考题 单选题在不易淬火钢的热影响区中,薄弱区域是()。A 过热区B 部分重结晶区C 正火区D 再结晶区

考题 单选题为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A 稳定区B 介稳区C 不稳区D 介稳区与不稳区均可

考题 单选题气孔、夹渣、偏析等缺陷大多产生于()A 热影响区的再结晶区B 热影响区的不完全重结晶区C 焊缝金属一次结晶过程D 焊缝金属二次结晶过程

考题 单选题BBS服务器的运行模式大致有远程登录模式和客户程序/服务器模式,对两者描述正确的是()。A 前者大部分操作都在本地机上进行,后者操作都在服务器上进行B 后者大部分操作都在本地机上进行,前者操作都在服务器上进行C 两者操作都在服务器上进行D 两者操作都在本地机上进行