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IGBT是（）型器件。

  • A、全控
  • B、半控

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考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
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考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
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考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是（）。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT
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考题 多选题普通晶闸管属于（）。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件
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考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
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考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
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