网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
判断题
0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。
A

对

B

错

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “判断题0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。A 对B 错” 相关考题
考题 通过何种方法可以得到较大的近场区A、使用高频探头B、在探头与体表之间放置水囊C、减少探头直径D、增大阻尼E、使扫描速度增加
查看答案
考题 关于声场的特性，下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区
查看答案
考题 获得较大近场区的方法是A、使用高频探头B、使用低频探头C、增大阻尼D、改变阻尼E、改变探头直径
查看答案
考题 在多数软组织中，衰减系数的变化与探头频率近似为A、与探头频率成反比B、频率的平方C、与探头频率成对数关系D、与探头频率成正比E、频率的立方
查看答案
考题 关于声场的特性，下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比 B.近场区横向分辨率低于远场区 C.近场区声束呈喇叭形 D.近场区横断面上能量分布基本均匀 E.远场区声束直径小于近场区
查看答案
考题 在多数软组织中，衰减系数的变化与探头频率近似为A.与探头频率成反比 B.频率的平方 C.与探头频率成对数关系 D.与探头频率成正比 E.频率的立方
查看答案
考题 探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
查看答案
考题 同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
查看答案
考题 横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
查看答案
考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
查看答案
考题 当探头距缺陷水平距离不变时，缺陷比探头尺寸小产生的信号幅度会发生起伏变化，这个区域称为（）。A、远场区B、近场区C、过渡区D、阴影区
查看答案
考题 直探头的近场区成为不可探测区，需用双芯片直探头进行探测。
查看答案
考题 简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。
查看答案
考题 探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
查看答案
考题 0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。
查看答案
考题 说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
查看答案
考题 探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
查看答案
考题 问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
查看答案
考题 问答题简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。
查看答案
考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A  增大B  不变C  减小D  都有可能
查看答案
考题 单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A K值增大时，近场区长度不变B K值增大时，近场区长度增大C K值增大时，近场区长度减小D K值与近场区长度无关
查看答案
考题 判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A 对B 错
查看答案
考题 单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A  声束的指向性B  近场区长度C  远距离缺陷检出能力D  以上都是
查看答案
考题 填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
查看答案
考题 单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A 增加B 减小C 不变
查看答案
考题 判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A 对B 错
查看答案
考题 单选题当探头横向移动时，比探头尺寸小的缺陷所产生的信号幅度会发生起伏变化，这个区域称为（）A 远场区B 近场区C 过渡区D 阴影区
查看答案
热门标签
最新试卷