考题
从探头表面发射出的声束受下列哪些因素影响？①声束波长；②探头材料；③压电晶片的直径A、②B、①③C、②③D、①②③E、①②
考题
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
在斜探头厚焊缝探伤时，为提高缺陷定位精度可采取措施是（）A、提高探头声束指向性B、校准仪器扫描线性C、提高探头前沿长度和K值测定精度D、以上都对
考题
检测时采用高频探头，可有利于（）A、发现较小的缺陷B、区分开相邻的缺陷C、改善声束指向性D、以上都是
考题
晶片尺寸相同，超声场的近场长度愈短，声束指向性愈好。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A、用TR探头B、使用窄脉冲宽频带探头C、提高探头频率，减小晶片尺寸D、以上都是
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
从探头表面发射出的声束受哪些因素影响（ ） ①声束波长 ②探头材料 ③压电晶片的直径A、②B、①③C、②③D、①②③E、①②
考题
探头晶片尺寸大，辐射的超声波能量大，探头未扩散区扫查范围大，远距离扫查范围相对变小，发现远距离缺陷能力增强。
考题
探头晶片尺寸大，辐射的超声波能量（），探头未扩散区扫查范围大，远距离扫查范围相对变小，发现远距离缺陷能力增强。A、增加B、减小C、不变
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
单选题从探头表面发射出的声束受哪些因素影响？①声束波长；②探头材料；③压电晶片的直径。（ ）A
②B
①③C
②③D
①②③E
①②
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A
用TR探头B
使用窄脉冲宽频带探头C
提高探头频率，减小晶片尺寸D
以上都是
考题
单选题在斜探头厚焊缝探伤时，为提高缺陷定位精度可采取措施是：（）A
提高探头声束指向性B
校准仪器扫描线性C
提高探头前沿长度和K值测定精度D
以上都对
考题
单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A
声束的指向性B
近场区长度C
远距离缺陷检出能力D
以上都是
考题
判断题探头晶片尺寸大，辐射的超声波能量大，探头未扩散区扫查范围大，远距离扫查范围相对变小，发现远距离缺陷能力增强。A
对B
错
考题
单选题探头晶片尺寸大，辐射的超声波能量（），探头未扩散区扫查范围大，远距离扫查范围相对变小，发现远距离缺陷能力增强。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A
对B
错
考题
单选题检测时采用高频探头，可有利于（）A
发现较小的缺陷B
区分开相邻的缺陷C
改善声束指向性D
以上都是
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错