网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:
题目内容
(请给出正确答案)
问答题
Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
参考答案
参考解析
解析:
暂无解析
更多 “问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。” 相关考题
考题
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
考题
设计单位在施工图卷册总说明中,应明确标准工艺应用清单,内容不包括()。标准工艺的名称、编号及应用数量;在施工图卷册说明中明确应用标准工艺的名称、部位。A、工艺名称B、工艺应用率C、工艺应用部位D、工艺应用数量
考题
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。
考题
问答题为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用?
热门标签
最新试卷